圖1：電容C和恒流源T2及單結(jié)晶體管T3構(gòu)成的延時(shí)脈沖電路

對(duì)于單結(jié)晶體管T3，它的發(fā)射極電壓為：

這里的η是分壓比，其值在0.8左右。

因?yàn)閁c=Ut3e，由此解得：

這就是延時(shí)電路的延時(shí)時(shí)間了。它的圖像如下：

圖2：電容C上的電壓波形

有意思的是：這里采取恒流源充電，使得電容的充電波形由指數(shù)上升波形變成斜坡上升波形。同時(shí)，當(dāng)單結(jié)晶體管在谷點(diǎn)時(shí)，電容要充電，第一基極也需要一定的電流，但恒流源只能提供這么多的電流，于是單結(jié)晶體管就利用隧道效應(yīng)返回到起始充電位置，也即T的左側(cè)。買(mǎi)電容需要注意什么，深圳電容檢測(cè)貴嗎？電容檢測(cè)怎么做，哪里買(mǎi)電容最好。

此電容延時(shí)用于晶閘管的觸發(fā)電路。

第二種：PID的積分電路。買(mǎi)電容需要注意什么，深圳電容檢測(cè)貴嗎？電容檢測(cè)怎么做，哪里買(mǎi)電容最好。