1)輸出能力:在匹配網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用中的低損耗高Q電容器將確保放大器的最大有效增益和可用輸出。尤其在高射頻功率應(yīng)用中，因元件生熱造成的損耗通過高Q被動元件的使用大大減輕了。

2)噪聲系數(shù):例如衛(wèi)星接收機中采用的LNA中小信號放大器，需要高  電容器。具有損耗的被動元件會增加熱噪聲(KTB)和降低放大器的整體噪聲系數(shù)，從而降低信噪比。關(guān)注電容領(lǐng)域，專業(yè)知識分享，提供穩(wěn)定、可靠的電容檢測服務(wù)，賦能中國制造業(yè)升級！ 電容檢測+V:18676748747。

同樣，MRI成像線圈(imaging coils)也需要極低損耗的電容器。這些應(yīng)用是利用電容器來調(diào)節(jié)諧振電路中的線圈，并且必須是透明的。被 MRI 線圈檢測到的信號是非常小的，來自低  電容器的任何損耗負作用會產(chǎn)生更多的熱噪聲，使處理信號變得困難或不可能。電容器檢測，陶瓷電容檢測，電容失效檢測，貼片電容怎么看參數(shù)

3)熱量管控(thermal management): 如圖1所示在極端的情況下，如果C3損耗非常大它可能因高循環(huán)電流產(chǎn)生足夠的熱從而熔化焊錫。過度熱量累積結(jié)果很容易導(dǎo)致元件從 PCB 上脫焊。由于C3在物理上接近主動器件，電容器產(chǎn)生的任何額外熱量將反射到晶體管中，從而降低可靠性，并可能導(dǎo)致元件早期失效。盡管,為了最優(yōu)的 RF 性能,技術(shù)上將匹配電容器(matching capacitor)焊接到離三極管元件平面很近的位置是可取的，但在這些應(yīng)用中必須明智地考慮熱量管控。在關(guān)鍵應(yīng)用中，電容器的不當選擇很容易導(dǎo)致各種電路性能問題。MLCC降額曲線，失效分析，公差范圍是多少